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  • 欧盟拟研欧洲芯片法 力争2030年产能达全球二成
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  • 爱芯元智获A++轮8亿元融资 人工智能芯片行业迎来新动力
  • 日本半导体厂商努力减少对中国的依赖
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日本着力提高太阳能光伏发电的能效

改善日照条件,降成本、增能效就成为日本发展太阳能光电的关键问题。除扩大太阳能光伏发电的规模、增加其用地以外,更重要的是依靠科技力量不断提高太阳能光伏发电的能效。为此,日本的科研机构和企业正在致力于研发进一步提高太阳能光伏发电能效的技术和装置。 11月13日,《联合国气候变化框架公约》第26次缔约方大会(COP26)在英国的格拉斯哥闭幕,大会就《巴黎协定》实施细则等核心问题达成共识,标志着世界各国踏上全面应对气候变化的新征程。 日本首相岸田文雄在11月1日本国大选结束后的第二天便赶赴英国出席COP26世界领导人峰会并发表讲话,重申了前首相菅义伟在4月22日由美国主办的领导人气候峰会上宣布的日本减排目标:到2030年温室气体排放量比2013年减少46%,并努力挑战更高的50%,2050年实现碳中和。 日本要实现这一承诺目标,关键需要加大力量实现电力行业的减排。今年1月日本经济产业省公布的《2050年碳中和绿色增长战略》显示,电力行业仍然较多地依靠传统的燃煤燃气发电,二氧化碳排放量占比为37%,居各行业之首,日本也因此在COP26会议期间被全球环保团体“气候行动网络”颁发“石化奖”。 为解决这一减排关键难题,按时兑现减排目标,日本政府10月22日公布的第6版《能源基本计划》首次提出“最优先”发展可再生能源,提出到2030年可再生能源发电量的占比将达到36%~38%,大幅高于2018年公布的第5版计划所提出的22%~24%的目标。2019年日本的可再生能源占比仅为18%,因此需要加倍的努力,方能兑现承诺的减排目标。 1.将太阳能作为可再生能源的“主力军”。 可再生能源发电主要包括水能、风能和太阳能。 首先看水力发电,日本由于燃料资源匮乏,水力则成为其本土的主要发电资源。过去一个时期日本积极发展水电,1960年水电占比超过50%。后因进口石油价格低廉,转而积极发展火电,加之上世纪70年代大力发展核电,遂水电占比逐年下降,至2009年仅占6%。要在已经废弃的水电基础上重振水电,恐非日本的明智之选。 另外,气候变化引发的自然灾害及其次生灾害也是考量发展水电利弊的不可忽视的要素。例如,今年夏季巴西遭遇91年来最严重的旱灾,给水电敲响了警钟。 巴西可再生能源发电装机总量居南美国家之首,其中水电占比76.8%。据报道,这场旱灾导致巴西的水电站蓄水量严重不足,多座水电站无法足额发电,继而引发电价攀升,迫使巴西政府采取提高燃气等能源的价格、限电等措施。 巴西的这场旱灾及其引发的水电危机再次绷紧了世界畏惧气候变化的神经,使各国重新审视水力资源作为可再生能源发电的利弊,日本也或会从中有所汲取。 同样受气候变化捉弄的还有风能发电。风电是欧洲各国为实现减排目标发展可再生能源发电的重要选项之一,但是,今年夏季以来欧洲的风量减弱,使欧洲的风电遭受打击。受“风灾”影响今夏欧盟的风电总量比去年减少7%,其中西班牙是“重灾区”。 西班牙被誉为“脱碳先进国家”,在其电能结构中,风电占据20%的较大比例。受此次“风灾”影响,9月份的风电量比去年同期减少20%。由于受灾减少的电力需要由只占30%的天然气火电来弥补,所以引起了西班牙的天然气价格和电价暴涨,9月份生活用电价格同比上涨35%。西班牙的“风灾”及其次生灾害的影响深度波及欧洲,一定程度助推了欧洲的能源危机。 一般认为太阳光同样会受气候变化的左右,冬季光照减少,太阳能光伏发电量随之下降。例如,去年12月至今年1月日本曾一度供电紧张,其原因被指“光电量减少”。但是,日本经济产业省的实证结果表明,太阳光(对光伏发电)的影响几乎可以忽略不计,主要原因是枯水期导致水电量下降。因此,太阳能光伏发电受气候变化的影响比我们想象的少得多。 鉴于以上巴西的水电和西班牙的风电以及日本的光电典型案例,日本的第6版《能源基本计划》将36%~38%的可再生能源比例划分为:太阳能14%~16%、风能5%、水能11%,这一配比不无道理。从这一比例可以看出,日本将太阳能确定为可再生能源的“主力军”。 2.依靠科技力量提高太阳能光伏发电的能效。 据中国能源信息平台的资料,截至2019年日本的太阳能光伏发电装机达到6184万千瓦,仅占当时可再生能源的7.2%,未来有很大的发展空间。但是,日本的太阳能光伏发电低能效以及由此产生的电价过高等问题,是阻碍太阳能光伏发电发展的瓶颈。 为解决这一瓶颈问题,日本政府于2009年11月就启动了“太阳能发电富余电量收购制度”,并于2012年7月1日开始实行“固定电价收购政策”,以鼓励企业和民间大力发展和使用包括太阳能在内的可再生能源发电。这些政策有效促进了可再生能源发电领域的投资,到2018年底,可再生能源发电装机增长了4600万千瓦,其中居民太阳能光电增长了583万千瓦,非居民太阳能光电增长了3722万千瓦。 为了降低太阳能光电的收购价格,日本政府从2017年开始对2兆以上容量的太阳能光伏发电实施竞价机制。通过竞价,中标价由2017年11月的17.2~21.0日元/千瓦时下降至2019年9月的10.5~13.99日元/千瓦时。 尽管日本官方、企业和民众为发展太阳能光伏发电作出了一系列的努力,但是,其太阳能光伏发电的成本仍然较大幅度地高于美国、中国等国家。根据国际可再生能源机构(IRENA)的统计,日本的太阳能光伏发电的成本为1千瓦时/13.5日元,是中国(5日元)、美国(6.5日元)的2倍多,比法国和德国高出80%。 因此,改善日照条件,降成本、增能效就成为日本发展太阳能光电的关键问题。除扩大太阳能光伏发电的规模、增加其用地以外,更重要的是依靠科技力量不断提高太阳能光伏发电的能效。为此,日本的科研机构和企业正在致力于研发进一步提高太阳能光伏发电能效的技术和装置。 据日本学者藤和彦撰文介绍,东京大学先端科学技术研究中心冈田至崇教授的研究小组正在研发利用量子点理论完成光电转换的“量子点太阳电池”。 据科技资料介绍,量子点太阳能电池是第三代太阳能光伏电池,也是最新、最尖端的太阳能电池之一,在普通太阳能电池之中引入纳米技术与量子力学理论。与其他吸光材料相比,量子点具有独特的优势:量子尺寸效应。通过改变半导体量子点的大小,可以使太阳能电池吸收特定波长的光线,即小量子点吸收短波长的光,而大量子点吸收长波长的光,增大了吸收系数,提高了光电转换效率。大量理论计算和实验研究表明,量子点太阳能光伏电池在未来的太阳能转换电能中显示出巨大的发展前景。 另外,日本爱知县一宫市的一家风投企业(MCCQUANTA)研发出一种装置,安装在现有的太阳能光伏板可提高其2倍的发电能效,并于10月下旬批量生产。 这一装置也是通过应用量子现象,更多地提取太阳光照射在光伏板产生的电子,以提高光电转换的能效。据称,这一装置如果被广泛使用,“即使不增加用地也可增加2倍的发电量,还可降低一半的成本”。 COP26期间,与会领导人签署了《格拉斯哥气候公约》。公约要求各国加紧努力,逐步减少不使用技术控制二氧化碳排放的发电厂,倡导可再生能源发电,并呼吁结束低效的化石燃料补贴。 当今世界减碳、绿色、可再生已经成为潮流,在潮流的推动下,在目标的引导下,在政策的支持下,无论是日本,还是世界各国,都将有越来越多的资源源源不断地涌入减碳、绿色、可再生领域,鼓励、支持、推动更多的科研人员和企业研发出更多、更好、更高效的可再生能源产品,保护地球,造福人类。

2021-12-02  (点击量:18)

日本通过史上最贵补充预算案,专设68亿美元投资国内半导体

11月26日,日本新任首相岸田文雄公布了就任后的首个补充预算案,追加了36万亿日元(约3160亿美元)财政支出,是日本历史补充预算中的最高水平。其中专设了7740亿日元(约合68亿美元)的资金,作为支持尖端半导体生产企业的专项基金,以履行岸田文雄竞选时许下的将日本打造成为全球芯片工厂的承诺。 该计划包括三个部分:6170亿日元将投资于日本国内尖端芯片的产能;470亿日元投资于模拟芯片和电源管理芯片的生产;1100亿日元用于下一代半导体材料的研究开发。 据悉,日本政府将在6170亿日元的国内投资中拿出一部分资金,资助由台积电和索尼集团在熊本县计划建设的半导体工厂,根据日经新闻先前报道,日本政府将为这个新工厂拨出约4000亿日元。剩下的约2000亿日元用于支持美光科技和铠侠等增设新工厂。日本经济产业省表示,对于成熟制程芯片的生产,将提供高达投资所需支出总额三分之一的支持。 近年来,日本政府力推重振半导体产业的战略,基于日本电子、汽车和半导体等产业的传统优势,再结合专项财政补贴,已成功吸纳台积电在日设立新工厂。 岸田文雄对媒体表示,“最近台积电引发关注,但除此之外,还要吸引美国的半导体厂商等,今后在民间扩大各种可能性的举措很重要。” 据悉,日本政府开出的提供资金支持条件是,政府在数年内分批补贴50%的半导体工厂新建费用,而企业在半导体供需状况恶化时,需应政府要求进行增产。还有报道称,政府还开出工厂在一定时间内禁止撤离、在日本生产的半导体按情况优先供应日本的条件。 最近,日本半导体企业的全球市场占有率跌至10%左右。日本政府在6月发布的《通商白皮书》中将复兴半导体产业作为经济安全的核心课题,计划在10年内将半导体销售额提高3倍,并加强同美国的技术合作。 因此,目前批准的预算只是增加对半导体行业投资的开始,日本执政党和政府都将支持企业增加半导体生产列为优先事项。

2021-11-30  (点击量:14)

IBM最新芯片研究:提供从FinFET向纳米片过渡的思路

几年前,IBM将其半导体制造业务出售给GLOBALFOUNDRIES,但他们仍在奥尔巴尼纳米技术公司拥有价值数十亿美元的研究设施。IBM在诸如IEDM之类的会议上非常活跃,而且这似乎有一个很好的光管地方,因为他们在这里公布的研究成果得到了很多媒体的关注。 在2019年的LithoWorkshop上,我听到了来自IBMAlbany研究小组的演讲,他解释说IBM必须拥有研究线,因为他们需要最先进技术的处理器来支持他们的设备运行。我个人质疑这个观点,奥尔巴尼研究小组与三星合作,支持三星投产的5nm工艺。 笔者认为,三星的5nm工艺与台积电的5nm工艺相比,功耗、性能和密度都相对较差。我确信在支持IBM的过程中有特殊功能,但我也确信无需数十亿美元的研究投资也可以在台积电流程中实现相同的功能。我还认为有趣的是,他们说在开发过程中他们调高了EUV剂量(dose),直到获得良好的良率,然后他们将其转移给三星,期望三星减少EUV剂量。当三星开始加速他们的5nm工艺时,业界有传言称三星无法通过他们的EUV工具获得足够的晶圆(高EUV剂量导致低产量)并且产量很低。 IBM每隔几年也会通过一些新的发展在主流媒体上引起轰动,但在我看来,很多发展并没有达到炒作的效果。例如,IBM在2021年初宣布开发2nm技术,但正如我之前所写的那样,它更像台积电的3nm工艺而不是2nm,与英特尔和台积电预期的2nm工艺相比,不太可能具有竞争力。 这并不是说IBM不做重要的研究,几年前他们负责包括铜金属化在内的许多关键行业创新,我只是质疑数十亿美元的半导体研究设施对于不生产半导体的公司是否有意义. 在本文中,我将讨论IEDM的三篇IBM论文。 第一篇,垂直传输纳米片技术,用于超越横向传输器件的CMOS缩放 在我看来,这篇论文是IBM典型的一个范例,我不希望他们辜负这个炒作。在这个论文中,作者指出,这项工作是与三星合作完成的。主流媒体已经发布了关于这个“突破”的消息,好像这将是一个生产解决方案。 这里的基本思想是不是在水平方向上制造纳米片,而是将它们变成垂直方向。在该论文中,垂直纳米片与FinFET进行了比较,并显示提供更好的性能和面积。我看到这有两个问题。 首先,我的理解是垂直晶体管非常适合SRAM的使用,其中互连需求简单且规则,但不适用于具有复杂互连需求的随机逻辑设计。Imec之前展示了一些非常有趣的垂直SRAM工作,尽管它似乎没有在行业中获得任何关注。随着小芯片的出现,提供卓越密度的简单SRAM工艺非常有意义。但是再一次,对于逻辑用途,垂直晶体管面积可能会增加很多以适应互连要求。 我看到的第二个问题是将它与FinFET进行比较。从FinFET到堆叠水平纳米片(horizontalnanosheets:HNS)的转变已经在进行中。HNS提供了优于FinFET的密度和性能优势,但更重要的是提供了长期的扩展路径。HNS可以通过垂直堆叠更多片材来提高性能,它们还提供了引入介电壁(dielectricwall)的机会,创造了一种名为Forksheets的Imec创新,减少了n到p的间距。除此之外,在3D-CMOS/CFET架构中堆叠n和pHNS可提供更多的缩放比例,且水平n到p间距为零。除了HNS,这些薄片还可以被2D材料替代,从而提供更大的缩放比例。驱动电流以及垂直鳍片的性能是由鳍片尺寸驱动的,我看不出这些设备如何像HNS那样扩展。 第二篇,下一代高性能计算纳米片技术的关键要素 在我看来,这篇论文比上一篇更有趣,因为它解决了所有主要前沿逻辑供应商都面临的HNS技术问题。IBM过去在HNS方面做了很多出色的工作,本文以此为基础。 本文解决了两个HNS问题。 第一个问题是HNS的pFET迁移率很差。IBM之前已经描述了两种提高pFET迁移率的技术,一种是在释放后修整沟道并沉积SiGe覆层。另一种技术是在应变松弛缓冲层(strainrelaxedbufferlayer)上制造沟道。 在本文中,SiGe通道是通过在沉积原始纳米片堆叠时在较高Ge含量牺牲层上沉积较低Ge含量通道而形成的。Ge含量的差异是为了启用选择性释放蚀刻,蚀刻掉牺牲膜并保持通道完好无损。SiGe通道提供了改进的迁移率、改进的性能和更高的可靠性。 这里解决的第二个问题是如何为HNS实现多个均匀的阈值电压(Vts)。对于FinFET,鳍到鳍的距离相对较宽,并且可以通过沉积和选择性去除多种功函数金属来实现多个Vts。使用HNS,片到片(Tsus)的间距非常小,以至于没有足够的空间容纳一整堆功函数金属。金属也往往在NS外侧更厚,在纳米片之间更薄,导致Vts不均匀。 IBM在十多年前率先使用偶极子(dipoles)来控制VT,该技术现在正受到HNS的广泛关注,因为偶极子可以通过掺杂高k电介质来产生,并且不需要像多功函数金属那样需要额外的厚度.偶极子还可以解决Vt非均匀性问题。 我想讨论的第三篇论文是另一篇研究HNS问题的论文。 HNS实施的另一个挑战是如何创建可以在更高电压下工作的I/O晶体管。在本文中,后栅极工艺流程结合了沉积氧化物和新型选择性氧化,产生了两种不同的栅极氧化物厚度。选择性氧化产生厚和薄的选择性氧化物,它们被添加到沉积的氧化物中。该技术的关键在于,生长的氧化物在氧化过程中会消耗硅,因此较厚的生长氧化物比生长的薄氧化物消耗更多的硅,从而打开片间间距(Tsus)以容纳较厚的氧化物。 尽管媒体大肆宣传IBM在IEDM上发布的Vertical-TransportNanosheet,但我们认为IBM完善HNS流程的工作更有可能对行业产生影响。pFET沟道迁移率、体积更小的Vt解决方案和高压I/O解决方案解决了业界目前正在努力解决的从FinFET到HNS过渡的问题。

2022-01-13  (点击量:9)

华南理工马於光院士团队:前所未有的室温铁磁性有机半导体

有机铁磁体以其柔韧性、可低温合成、低密度和生物相容性等优点逐渐取代了传统的磁体。然而,在仅由碳、氢、氧和氮组成的有机材料中,室温铁磁性以及半导体特性迄今为止还没有发现,高居里温度纯有机磁体的研制仍然是材料科学领域的一项艰巨任务。 有鉴于此,近日华南理工大学马於光院士、张弜副教授等采用溶剂热法还原和溶解苝二酰亚胺(PDI)晶体,制备了自组装PDI纳米棒。通过磁性测量证实了有机半导体具有前所未有的室温铁磁性。由于有机材料中可忽略的自旋轨道耦合和较长的自旋寿命,作者认为这一结果将对室温磁半导体的实现和应用有一定的指导意义。该研究以题为“Room-temperature Ferromagnetism in Perylene Diimide Organic Semiconductor”的论文发表在最新一期的《Advanced Materials》。 【PDI的制备及结构表征】 研究者首先利用过量水合肼的溶剂热法对升华后的PDI晶体进行了还原和溶解处理。冷却后得到紫色悬浮液,随后在手套箱中加热制备PDI粉末。作者分别通过紫外可见吸收(UV-Vis)光谱、顺磁共振(EPR)光谱、扫描电子显微镜(SEM)及x射线衍射(XRD)光谱等方式对PDI结构进行表征。 其中,UV-Vis光谱在554 nm处的主要吸收峰表明PDI阴离子在悬浮液中占主导地位。EPR光谱对PDI粉末中自由基阴离子形成的研究,发现在g=2.003附近观察到一个较强的共振信号,该信号来源于未配对电子,清楚地表明氧化后自由基阴离子急剧增加。PDI粉末的SEM照片表明其紧密堆叠的50-60 nm宽的自组装纳米棒的微观形态。PDI粉末XRD测试结果中26.9º附近的峰可被索引为(12),对应为π-π堆叠,计算距离为3.30Å。考虑到PDI被电离,π-π堆叠在还原过程后保持闭合是必要的。 图1结构表征 【PDI粉体的磁性能】 这项工作中的自由基阴离子自掺杂方法是通过封闭壳层的二价负离子自发氧化过程进行的,这与通过还原过程获得自由基的策略不同。这种方法合成的PDI自组装聚集体的特点是π-π堆积距离近和自由基阴离子浓度大,这可能会导致自由基之间产生强烈的自旋交换相互作用,最终形成铁磁有序。 振动样品磁强计对PDI半导体的磁性特性的研究发现,在10k和300k处记录的磁化-磁场(M-H)曲线显示了典型的铁磁滞回线。在1.5 kOe时,磁饱和;在300 K时矫顽力达到160 Oe。在300 K提取的饱和磁化强度为~1.2 emu·g−1,这在有机磁体中的较大值同时也远远超出了36 K的倾斜铁磁体,以及最近报道弱在非晶态铁磁物质聚合TCNQ,1,3,5-均三嗪连接的多孔有机自由基骨架。 此外,10 K到400 K温度范围内的磁滞回线测量和矫顽力场(Hc)的温度依赖性表明DPI在室温以上为铁磁性。磁场为100 Oe时,零场冷却(ZFC)和场冷却(FC)条件下磁化的温度依赖性研究显示,ZFC与FC图从400 K开始分叉,说明铁磁PDI粉末的Tc值在400 K以上。纯有机磁体的饱和磁化强度与Tc的关系显示室温下PDI铁磁体在Tc和饱和磁化两侧均占优势,预示着未来与无机铁磁材料相当的潜力。PDI铁磁粉的磁响应可以通过强永磁体的吸引效应生动地表现出来。 图2 PDI粉体的磁性能 【铁磁性来源验证】 为证明铁磁信号来自于还原和空气氧化过程。作者对PDI原料及微量金属污染物的磁性进行研究。结果表明PDI原料的M-H线性曲线表现出抗磁特性。对室温饱和磁化强度为0.8 emu·g−1的样品在空气中进行烧蚀实验,M-H曲线结果表明,烧蚀后样品的铁磁性消失,烧蚀后的残余具有较弱的抗磁性。从而排除了样品的铁磁性来源于铁磁性金属或其氧化物的可能性。 研究者还发现,在大约3个月后,当样品持续暴露在空气中,铁磁性转变为抗磁性。由于自由基的天然化学活性,以往报道的有机铁磁晶体通常是不稳定的,如TDAI-C60,在偶然暴露于空气中几秒钟后,会完全失去磁性与这种低Tc有机铁磁粉相比,铁磁粉PDI在空气中的稳定性更高。通过对大量的样品进行粒子诱导x射线发射(PIXE)光谱测量,结果显示样品中的磁性金属杂质不足以诱导铁磁信号。以上实验结果均表明所观察到的铁磁性本质上来自PDI自由基晶体。 图3铁磁(FM)PDI粉末的磁性演变及金属杂质元素分析 【PDI铁磁体的半导体性能】 为了研究样品的半导体性能,研究者在300 K下测量了DPI电阻和霍尔系数的温度依赖性。用于测量的器件采用六接触霍尔杆的几何形状,霍尔器件的光学显微镜图像如图4a所示。电阻-温度曲线结果显示了PDI典型的半导体特性,其室温下电阻率为~1.6Ω·cm。根据Arrhenius方程对温度相关的电阻数据进行了拟合,得到其活化能为~72.54 meV。负霍尔电压(VH)与外加磁场呈线性关系。在300K时,PDI霍尔迁移率为~0.5 cm2·V−1·s−1。结合所观察到的铁磁性,这种PDI自由基晶体具有实现室温磁性半导体的巨大潜力。 图4 PDI铁磁体的半导体性能 【小结】 综上所述,具有高迁移率的苝二亚胺(PDI)有机自由基半导体具有室温铁磁性。PDI铁磁体居里温度大于400 K,饱和磁化强度大于1 emu·g−1。这为室温磁半导体的实现开辟了一条新的途径。有机半导体,特别是具有亚稳态自由基和紧密堆积结构的开壳多环烃,是一种很有前途的室温铁磁体候选材料。这种新材料将有助于研究有机半导体中的基本自旋行为,并为探索纯有机自旋器件等应用提供手段。

2022-01-12  (点击量:8)

预计2022年全球半导体销售额增长11%,达6806亿美元

根据ICInsights的1月份半导体行业快报报告,在2021年经济从2020年爆发的新冠疫情危机中反弹后,全球半导体营收增长了25%,预计2022年半导体总销售额将增长11%并达到创纪录的6806亿美元。 半导体行业快报显示,2022年整个半导体市场将以两位数的低速度增长(如下图)。所有主要半导体产品类别的销售额增长预计将放缓,但仍高于平均水平。 根据ICInsights在1月份半导体行业快报中的预测,预计2022年全球集成电路收入将增长11%,达到5651亿美元的历史新高,其余的半导体市场——包括光电、传感器/执行器和分立器件(统称为O-S-D设备)——也预计将在今年增长11%,达到创纪录的1155亿美元。 在2021年的经济复苏中,许多广泛使用的半导体产品的单位出货量无法跟上系统和设备制造商(包括汽车制造商)不断增长的需求。根据ICInsights1月份的半导体行业快报,IC的单位采购量增长了22%,而O-S-D设备的出货量增长了20%。考虑到在过去10年中,IC出货量以7.4%的复合年均增长率增长,而O-S-D单位以4.7%的复合年均增长率增长,现在的增长率是惊人的。ICInsights预测,2022年将有超过1.3万亿个半导体器件(约4320亿个IC和8893亿个O-S-D器件)出货,这两个细分市场都将增长10%。

2022-01-12  (点击量:1)

2021年我国多家功率IC公司营收同比增长超100%

有电的地方就有功率半导体芯片,这句话简明扼要地说明了功率半导体芯片在现代生活中的广泛应用和重要作用。功率IC和功率分立器件是功率半导体芯片的2大细分类型,也是全球半导体芯片的重要组成部分。芯谋研究全面调研了国际和国内的主要功率IC设计公司,全面、深入分析了各种功率IC类型,预测了2022~2026年全球和中国功率IC产业发展趋势。2021年12月,芯谋研究正式发布年度市场研究报告:《中国功率IC市场年度报告2022》。下面简要介绍报告内容。 1.全球功率IC芯片的分类 全球半导体芯片共分模拟芯片、逻辑芯片、微元件芯片、存储芯片、光电子芯片、分立器件、传感器等7大类,功率IC芯片是模拟芯片的主要类型之一。从细分类型看,当前功率IC芯片主要包括交流直流转换芯片(AC/DC Converter)、电池管理芯片(Battery Management IC)、直流直流转换芯片(DC/DC Converter)、栅极驱动芯片(Gate Driver)、热插拔芯片(Hot Swap)、低压差调节芯片(LDO Regulator)、功率因数校正芯片(Power Factor Corrector)、电源管理单元芯片(Power Management Unit)、以太网供电芯片(Power Over Ethernet)、功率级芯片(Power Stage)、Switch Control IC(开关控制芯片)、参考电压(Voltage Reference)、电压监控芯片(Voltage Supervisor)等13种细分类型。 功率IC芯片种类多样,相关制造工艺技术类型也很多,对应关系很复杂。大部分芯片类型用多种工艺来生产,反过来,一些工艺也可以生产多种功率IC细分类型。当前功率IC相关的制造工艺技术主要包括BCD工艺(Bipolar CMOS DMOS,BCD)、BiCMOS工艺(Bipolar CMOS)、CDMOS工艺(CMOS DMOS)、Mixed Signal工艺(模拟混合信号工艺)、Analog工艺(模拟)、CMOS、Bipolar工艺等等,目前晶圆代工企业(Foundry)最先进的BCD工艺已演进到40nm工艺节点。 2.2022~2026年全球功率IC市场趋势 2021年,全球半导体和全球功率IC增长的主要驱动力来自全球半导体芯片涨价、全球半导体产业链多环节囤货、PC和云服务器(居家办公、远程学习、在线游戏、小视频等)、5G基础设施和5G手机和智能手机、汽车电子、消费电子、工业电子等因素。 据芯谋研究统计,2021年全球功率IC市场规模为305亿美元。2022年保持稳定。2023年,全球半导体芯片、特别是DRAM等存储器价格的大幅下滑、库存消化、市场竞争将导致全球半导体市场和全球功率IC大幅下滑,之后将恢复增长态势。 图2022~2026年全球功率IC市场趋势 3.2021年全球功率IC主要企业的营收及市占 2021年全球功率IC的龙头企业是美国TI公司,营收和市占遥遥领先。深入分析TI公司的功率IC,细分类型齐全、各类型营收位居前列,是全球当之无愧的功率IC领导企业。其次是美国高通公司,高通的手机芯片全球最大,配套PMU芯片营收位居第一。总体来说,全球前10大功率IC公司研发能力强,技术和产品积累深厚,各具优势。据芯谋研究统计,全球前10大功率IC公司营收如下。 图全球功率IC前10大公司营收及市占 4.2021年中国功率IC前10大公司的营收和增速 2021年,虽然新冠疫情仍然顽固存在,不时爆发,但全球半导体却迎来大幅上涨的一年。全球功率IC公司,特别是中国功率IC公司喜获丰收,大部分公司营收大幅增长,部分公司营收增长100%以上。据芯谋研究统计,2021年中国前10大功率IC公司的营收如下, 表2021年中国前10大功率IC公司营收和增速

2021-12-27  (点击量:5)

公司5G射频芯片已实现量产,客户正在使用

1月13日消息,富满微电子在投资者互动平台上表示,其5G射频芯片已实现量产,并已经交付客户处使用。 据了解,富满微电子集团股份有限公司创立于2001年,是一家从事高性能模拟及数模混合集成电路设计研发、封装、测试和销售的国家级高新技术企业。目前拥有电源管理、LED驱动、MOSFET等涉及消费领域IC产品四百余种。 此前,富满微披露向特定对象发行股票发行情况报告书,公司以76.71元/股发行价格完成向特定对象发行股票数量1173.25万股,募集资金总额9.00亿元。按照计划,相关募资扣除相关发行费用后,拟用于5G射频芯片、LED芯片及电源管理芯片生产建设项目、研发中心项目以及补充流动资金。 此外,富满微还表示,公司的5G系列射频前端芯片可以用在手机端,目前已与小米、传音等公司接洽,我们5G射频芯片产品是对标卓胜微高端射频产品线。 众所周知,射频芯片是一种能够将射频信号和数字信号进行转化的芯片。具体而言,包括RF收发机、功率放大器、低噪声放大器、滤波器、射频开关、天线调谐开关等。 随着5G时代的来临,射频芯片技术的迭代成为各大厂商主要的发展方向,据Yole Development预测,2020-2025年5G智能手机的年均复合增长率将高达30%,整体手机市场将因为5G手机的强势渗透而逐步恢复。与此同时,5G手机出货量的快速增长以及5G通信复杂技术和应用所带来的价值量提升将带动射频前端市场规模迅速提升。Yole Development预测到,2019年射频前端市场为152亿美元,到2025年有望达到254亿美元,2020-2025年年均复合增长率将达到11% 此外,在2021年10月13日晚间,富满电子发布了2021年前三季度业绩预增公告,预计2021年前三季度实现归属于上市公司股东的净利润为49,500万元-51,500万元,比上年同期上升704.54%-737.04%。

2022-01-20  (点击量:0)

爱芯元智获A++轮8亿元融资 人工智能芯片行业迎来新动力

近日,AI视觉芯片研发及基础算力平台公司爱芯元智——宣布完成A++轮融资,该轮总金额为8亿元人民币,启明创投、韦豪创芯、美团及美团龙珠、和聚资本、纪源资本、联想之星、耀途资本共同参与本轮融资。这也是目前为止爱芯元智完成的第四轮融资,距离上次A+轮融资不足半年时间。据悉,本次融资将用于产业资源的引入,爱芯元智将通过吸引行业顶尖人才、扩大业务规模、构建产业合作,打造具有国际竞争力的高端芯片。 爱芯元智(原名:爱芯科技)成立于2019年5月,专注于打造高性能、低功耗的人工智能视觉处理器芯片,核心技术产品支持多种AI视觉任务,广泛适用于智慧城市、智能社区、智能驾驶、智慧零售、智能家居、智能穿戴等多个领域。截至目前,成立不到三年的爱芯元智已成功推出两代行业领先的量产边缘侧AI视觉芯片——AX630A、AX620A,两款芯片均具备“高算力、低功耗、高算力利用率”的行业领先优势,可以为合作伙伴提供全栈式解决方案,满足客户不同场景的产品需求。 在核心技术领域,爱芯元智拥有业内先进的混合精度NPU,凭借高算力、低成本、低功耗,为行业及合作伙伴提供高效的AI基础算力平台。不仅如此,爱芯元智还拥有自研AI ISP图像处理技术,基于自有ISP与NPU的联合架构设计,可以大幅提升传统ISP中多个关键模块的性能,为客户拓展图形图像类业务提供基础设施。 爱芯元智CEO仇肖莘表示:“感谢A++轮投资人对爱芯元智的支持,我们欣喜地看到许多伙伴连续投资,选择与爱芯元智一起成长。过去几年中,爱芯聚焦在边缘侧和端侧的AI芯片,通过不断地自主创新,积累了先进的混合精度NPU以及AI ISP技术,连续完成了两代芯片的研发,并推动系列产品的量产和落地。未来,我们会继续通过自身努力,推动视觉AI芯片技术的创新发展,成为长期陪伴客户共同成长的伙伴。” 目前,全球对于AI芯片的需求呈现出爆发式增长。相关数据显示,全球人工智能芯片市场规模预计到2025年将达到726亿美金,年复合增长率达到46.14%。而在国内,随着5G和人工智能行业的快速发展,AI芯片行业市场同样拥有巨大成长空间,预计2023年市场规模将突破千亿元。与此同时,国家政策也持续加码发展集成电路产业,芯片国产化进程全面提速。在政策、市场、技术等合力作用下,中国AI芯片行业迎来了高速发展的最佳时机。 正因如此,传统芯片设计、IT厂商、技术公司、互联网初创企业等国内各类势力瞄准机会,大力发展AI芯片。作为其中的优秀代表,爱芯元智以多轮融资的高起点为基础,以两代行业领先的端侧、边缘侧AI视觉芯片为支撑,已经在AI视觉处理领域夺得一席之地。未来,爱芯元智还将在技术攻坚、产品开发以及人才建设上持续加速,努力成为AI视觉芯片行业领导企业。

2022-01-20  (点击量:0)

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