2024年7月9日，拜登政府表示，将拨款高达16亿美元用于开发包装计算机芯片的新技术，这是美国在创造人工智能等应用所需组件方面领先于中国的主要推动力。 这笔拟议的资金是根据2022年立法通过的“芯片法案”授权的一部分，将帮助公司在封装技术领域创新，例如创建更快的数据传输方法和管理芯片产生的热量，美国商务部副部长兼国家标准与技术研究院院长Laurie Locascio表示。 她在旧金山的一次年度行业会议上宣布了这一消息，标志着公司开始申请研发项目资助的起点，预计每个项目的奖励金额高达1.5亿美元。 “我们在先进封装方面的研发工作将重点关注高需求应用，如高性能计算和低功耗电子设备，这两者都是在AI领域实现领导地位所需的，”Locascio女士说。 “芯片法案”获得两党支持，投资520亿美元以刺激国内芯片生产，其中大部分资金用于将硅晶圆转化为芯片的工厂。美国在这一领域的份额已缩减至约10%，大部分被亚洲公司夺走。特别是台湾积体电路制造公司（T.S.M.C.）运营的工厂让政策制定者感到担忧，因为中国对台湾的领土主张。 在芯片封装方面，对外国公司的依赖更为明显。这一过程将完成的芯片（如果没有与其他硬件通信的方式，将毫无用处）安装到一个称为基板的扁平组件上，基板上有电连接器。这个组合通常用塑料包裹。 封装主要在台湾、马来西亚、韩国、菲律宾、越南和中国进行。全球行业组织IPC援引国防部数据估计，美国仅占先进芯片封装的约3%。 到目前为止，大部分联邦资金都用于制造的早期阶段，在新建的美国工厂生产的芯片可能会被运往亚洲进行封装，这对减少对外国公司的依赖几乎没有帮助。 “你可以在这里制造所有你想要的硅芯片，但如果不进行下一步操作，它就没有任何作用，”专注于芯片封装的咨询公司TechSearch International总裁Jan Vardaman说。 情况因公司越来越追求更高的计算性能而变得复杂，它们将多个芯片并排或堆叠在一起进行封装。主导AI芯片销售的Nvidia最近宣布了一款名为Blackwell的产品，它包含两个大处理器芯片，周围环绕着存储芯片堆栈。 为Nvidia制造最新芯片的T.S.M.C.也使用先进技术进行封装。T.S.M.C.预计将获得联邦补助在亚利桑那州生产芯片，但尚未表示会将任何封装服务从台湾转移。 作为硅谷芯片制造商的英特尔（Intel）在封装研究方面被认为是领先者，并已投入大量资金升级新墨西哥州和亚利桑那州的工厂，以在制造服务方面与T.S.M.C.竞争。但美国公司可以利用联邦资金帮助保持技术前沿地位，Vardaman女士说。 这些新资助是一个名为国家先进封装制造计划（National Advanced Packaging Manufacturing Program）的一部分，商务部官员表示该计划将获得约30亿美元的总资金。 “今天的宣布是朝正确方向迈出的又一个重要步骤，”IPC全球政府关系副总裁Chris Mitchell说。 一些行业参与者不等待政府援助。总部位于东京的Resonac公司周一宣布，与其他九家日本和美国公司组成新联盟，专注于在加利福尼亚州联合市建造的新设施中的封装研发。 在一次采访中，商务部的Locascio女士表示，政府本周还将宣布其国家半导体技术中心的概念模型，这是一个拟议的公私合作伙伴关系，用于芯片研发，预计将包括新设施，多州官员希望吸引这些设施。 “我们每天都接到很多关于此事的电话，”Locascio女士说，补充说这一宣布应该会明确设想的设施种类和“人们可以竞争这些设施的过程”。 查看详细>>

近日，美国商务部宣布，将投入高达16亿美元资金用于推动芯片封装技术的研发。这一举措是美国政府2023年公布的国家先进封装制造计划（NAPMP）的一部分，旨在加速美国国内先进封装产能的建设。 先进封装技术在提升芯片性能、推动摩尔定律延续、支持AI和高性能计算、降低成本、促进国内产业链发展以及广泛应用等方面都具有重要意义。因此，先进封装技术是半导体产业链中不可或缺的关键环节。 2023年11月，美国政府宣布将投入约30亿美元的资金，专门用于资助“国家先进封装制造计划”（NAPMP），这是《芯片与科学法案》的首项研发投资项目。这些资金将主要用于建立先进的封装示范设施，加快封装、设备和工艺开发。 同时，美国商务部下属的国家标准与技术研究所（NIST）发布了NAPMP愿景文件，明确了资金使用的具体领域，包括封装材料与基底等。 据悉，这笔高达16亿美元资金将通过奖励金的形式提供给创新项目，每份奖励金不超过1.5亿美元，以撬动来自工业界和学术界的私营部门投资。 这笔资金是《芯片法案》授权资金的一部分，目的是帮助企业在芯片之间创建更快的数据传输方式以及管理芯片产生的热量等领域进行创新。 美国商务部副部长兼国家标准与技术研究所所长劳里·洛卡西奥（Laurie Locascio）表示，“我们在先进封装领域的研发工作将重点关注高性能计算（HPC）和低功耗电子产品等高需求应用，这两者都是实现AI领导地位所必需的。” 根据资金补贴要求，资助项目需与五个研发领域中的一个或多个相关，包括设备和工具、电力输送和热管理、连接器技术（包括光子学和射频）、Chiplet生态系统以及电子设计自动化（EDA）。 劳里·洛卡西奥还表示，国家先进封装制造计划将通过强大的研发驱动创新，使美国的封装行业超越世界水平。在十年内，通过美国《芯片与科学法案》资助的研发，我们将创建一个国内封装产业。在这个产业中，美国和国外生产的先进节点芯片可以在美国进行封装，并且通过领先的封装能力实现创新设计和架构。 美国此举希望通过大规模的研发投资，提升美国在先进封装领域的领导地位，从而增强其在全球半导体市场的竞争力。同时，通过加大关键基础研发投入，扩大当前有限的先进制造能力，形成匹配美国芯片制造规模的封装源动力，从而提高整个半导体产业供应链的安全性。 查看详细>>

近日，在上海举行的3GPP RAN（无线接入网络）第104次会议上，3GPP R18标准宣布冻结。虽然R18仍在等待SA的最终复审，但冻结一事基本上没有悬念。R18是5G标准史上第4版演进标准，更为重要的是它被视作5G下半场5G-Advanced第一个正式的标准，对于，支持5G发展进入5G-A商用新阶段。 2021年12月，3GPP在R18标准中立项了近30个课题，其中包括多个物联网技术方向的课题。如今，R18冻结，相关的物联网方向课题也如期完成，为物联网产业界规划下一步产品和方案提供支持。同时，R18阶段也对一些新的方向进行前期讨论和预研，为R19以及后续的标准演进和制定打下基础。可以看出，构建一张网络支持各种类型物联终端接入能力是5G演进的一个显著趋势。 RedCap增强版标准，完善了5G对不同速率等级终端的支持 R18标准中，针对物联网最具代表性的进展是完成了RedCap的增强版本标准，即eRedCap，在R18所立项的课题是《Enhanced support of reduced capability NR devices》。在本次3GPP RAN第104次会议上，通过了该课题的多个方向，例如在RAN2就通过了以下文案并提交全会通过。 众所周知，RedCap的首个标准在R17已经冻结，面向中速率物联网终端接入场景，将NR的带宽从100MHz裁剪为20MHz，天线配置减少到1T1R或1T2R，引入半双工模式等优化，使其在Sub 6GHz频段范围内可支持约20Mbps-100Mbps的上下行理论峰值速率，与LTE Cat.4终端能力接近。 目前，RedCap已经成为5G物联网的重点领域，产业界高度重视其商用进展，中国市场发展尤其亮眼。去年10月份，工信部发布的《关于推进5G轻量化（RedCap）技术演进和应用创新发展的通知》，今年4月，工信部又发布了《关于开展2024年度5G轻量化（RedCap）贯通行动的通知》，对RedCap全面发展提供了政策保障。产业各方也积极响应，近日举行的RedCap产业峰会上，中国移动表示其RedCap商用网络已覆盖全国200多个城市超30万站，并宣布2024年底前在超过300个国内城市启动全球规模最大的5G-A商用部署；中国电信携手中国联通在浙江、贵州、广东、河南、上海5个省市现网环境下完成全球首个全频段、全制式、全场景5G RedCap商用验证，启动百城规模商用进程。 本次冻结的R18标准中，增强版的eRedCap则面向10Mbps中低速率物联应用，定义5MHz新终端，进一步降低终端成本，不少性能与LTE Cat.1和Cat.1 bis终端能力类似，为未来5G一张网络支持中低速物联提供便利。 此前，3GPP在R15-R17版本标准中，引入了针对NB-IoT和LTE-M的增强标准，让NB-IoT和LTE-M平滑演进到5G家族中，5G一张网络可以实现对NB-IoT和LTE-M的兼容。R17引入了RedCap后，使得5G能够实现大部分从低速到高速物联终端接入的支持，然而对于速率处于10Mbps级别的物联网终端，5G网络无法实现对其支持。本次R18冻结并引入eRedCap，实现了5G对低速到高速物联网终端接入的全覆盖。 不过，虽然eRedCap的标准已冻结，但其规模化应用尚需时日。RedCap商用分成三个不同的发展阶段，2026年前后第二阶段启动，这个阶段开始eRedCap有一定的应用，在蜂窝物联网中速领域占绝了一席之地，但其连接规模还是远远低于LTE Cat.1系列，对Cat.1不能形成压倒性优势；只有在第三阶段，即主管部门、运营商明确4G退网的时间节点时，eRedCap才能对4G物联网系列逐渐具备了压倒性优势，替代Cat.1加速，形成规模化应用态势。 同时，在R18立项的《Low-power Wake-up Signal and Receiver for NR》课题中，面向功耗敏感的物联应用，引入超低能耗唤醒接收机，大幅降低终端待机电流提升续航。另外，本次3GPP RAN第104次会议针对RedCap提出了一个新的课题，聚焦终端进一步节能的标准，即《NR power class 2RedCap(Reduced Capability)UE in FR1》。 IoT-NTN增强版标准，提升卫星直连物联网通信能力 2022年6月，3GPP R17版本标准冻结，其中一个备受关注的特性就是卫星通信。在这一版标准中，有两个工作组对NTN来进行标准化工作，一个是针对移动宽带的NTN标准，另一个是针对物联网用例的NTN标准，前一个采用5G NR框架来进行卫星通信，实现从地面到卫星的固定无线接入回传，并为智能手机直接提供低速率数据服务和语音服务；后一个侧重支持低复杂度LTE-M和NB-IoT等LPWAN终端卫星接入，扩大很多场景的网络覆盖范围，如全球资产追踪。 R18立项课题中，就包括了《IoT NTN enhancements》这一课题。在R17 NTN的基础上，为进一步解决中低轨卫星由于超高速移动导致的频繁切换难题，R18通过协同网络和终端的卫星通信等信息，实现终端无感知切换，有效避免了传统切换带来的频繁信令风暴和业务中断问题。 从3GPP RAN第104次会议的文档列表中可以看出，针对NB-IoT的标准研究均围绕卫星物联网的方向进行的。例如RAN4针对《RAN4 CRs to closed NB-IoT/eMTC core&performance requirements for NTN》通过了多个文档，铱星公司提出了针对NB-IoT NTN进一步增强的新提案，包括提升能效和使用新的频段等，希望在R19版本中完成冻结。 市场研究机构ABI Research和Juniper research等均预测到2030年5G NTN连接数超过1亿，而这超过1亿的连接中，物联网连接应该是占据大多数份额。相对于支持手机宽带数据和语音的NR-NTN，支持物联网的IoT-NTN似乎更快实现了落地商用，从器件到测试再到应用场景，业界都开始形成初步成果。 过去几年，卫星物联网赛道出现大量厂商，卫星物联网技术路线越来越多选择3GPP标准化路线，因为3GPP NTN标准化路线影响力越来越大，借助3GPP阵营成熟的产业生态，卫星物联网领域的成本会快速降低，有利于形成规模化，未来基于3GPP的IoT-NTN成为大部分卫星物联网运营厂商的选择。 无源物联网标准展望，面向千亿物联市场 此前，相关机构就在无线接入网技术组立项了名为“Study on Ambient IoT(Internet of Things)in RAN”的研究课题，随着R18阶段标准化的工作接近尾声，这一课题最终形成了编号为3GPP TR 38.848的技术报告，作为R18阶段无线接入技术组无源物联网的核心成果。 3GPP RAN第102次会议通过了一个无源物联网研究项目（SI）立项，预期在5G R19阶段版本中发布，该SI项目建立在R18阶段的研究课题之上。本次RAN第104次会议针对无源物联网展开讨论，对于无源物联网研究方向形成一些共识。这些讨论包括对无源物联网在R19阶段研究计划、无源物联网研究范围、无源物联网演进等，为未来R19中无源物联网研究奠定基础。 无源物联网作为R19中的SI课题，可能不会随着R19冻结形成可进行商用参考的技术规范。因此，基于蜂窝技术的无源物联网商用还需要一段较长的时间，未来在R19阶段的研究取得预期成果后，或许R20阶段会迎来无源物联网标准规范的问世，R20作为5G-A最后一个版本，届时无源物联网补齐了5G-A承诺的功能模块，赶上5G标准应用的“末班车”，实现3GPP阵营无源物联网的商用。 总结来看，RedCap增强、IoT-NTN增强以及无源物联网的探索，都在不断补齐和强化5G能够支持的各类物联网终端接入能力。除此之外，还有诸如定位能力优化、XR增强等技术方向都对物联网能力增强提供强力支撑。虽然本次R18并未完全实现各类连接技术的完善，但可以看出，5G标准演进的一个趋势是持续构建全场景物联，提升能力，让一张蜂窝网络能够支持更多类型物联连接。 查看详细>>

据日本媒体报道，日本经济产业省26日宣布，将半导体和量子相关的4个技术品类纳入出口管制对象。这些技术在面向所有国家和地区出口时均须事前获得官方许可。报道认为，在日本这样拥有相应技术的国家先行实施出口限制，旨在防止新兴技术被用于军事领域。 日本经产省目前已就此对《外汇及外国贸易法》相关法规（省令）做出修改，在公开征求意见阶段结束后，相关法规将正式公布并最早将于7月生效。日媒称，用于获取集成电路图像的电子显微镜、全环绕栅极技术等将成为新的出口管制对象。这些品类的产品尚未纳入被称为「瓦森纳协定」的多边出口管制协定，日本政府此举也将相应提高出口管制的实效性。 报道表示，拥有技术的国家先行实施限制，以防止新兴技术被转用于军事。这一省令将从4月26日到5月25日征集公众意见，意见征集结束后公布，并在2个月内实施。新的出口管制对象还包括用来获取集成电路图像的电子显微镜等，在部分国家，这些品类早已被列为出口管制对象。 目前，国际社会原则上在《瓦森纳协定》（WA）的框架下讨论限制品类，各国再根据《瓦森纳协定》下达成的共识制定本国的限制清单。然而在《瓦森纳协定》中增加新的品类需要所有成员国同意，所以很难第一时间跟上技术的进步，日本此次新增的限制品类也将按计划添加到《瓦森纳协定》中。 本次扩大技术出口管制范围，将使日本企业向海外出口尖端技术的限制进一步加强。据日媒报道，日本经产省24日公布关于修改出口管制方针的中期报告。报告提出，针对可能被用于军事领域的尖端材料和设备，在企业向海外进行技术转让时，将强化企业方面的事前报告义务。 报告提出的新方案主要针对「军民两用技术」加强监管。对于日本在国际市场上所占份额较高、其他国家有兴趣获取的技术转让，如果以在其他国家和地区生产产品的形式进行技术转让，方案要求企业事先向经产省报告。此外，出口企业还必须确认出口目的地国家不将出口产品用于制造武器。对于军事风险较高的品种，除了面向朝鲜等现有「武器禁运国」外，限制范围将扩展到面向俄罗斯、中国等「一般国家」交易行为。如果日本政府认为有安全顾虑，经产大臣可要求企业申请出口许可，最终由政府决定是否出口。 实际上，近年来日本追随美国不断对华开展和加大出口管制。去年年初，美日荷便就尖端芯片技术和对华限制达成协议。去年5月23日，日本经产省公布《外汇法》修正案，将先进芯片制造所需的23个品类的半导体材料和设备列入出口管制对象，其中包括了多种关键性材料，例如氟化氢、蚀刻液、聚酰亚胺和高纯度氮等。 具体而言，涉及光刻/曝光领域的有4项，即先进制程的光刻机/涂胶显影机/掩膜及制造设备；涉及刻蚀领域的有3项，分别是湿法/干法/各向异性的高端刻蚀；涉及清洗领域的有3项：即铜氧化膜、干燥法去除表面氧化物、晶圆表面改性后单片清洗。涉及最多的是薄膜领域，达11项。此外，涉及热处理和测试领域的各1项。 日本政府规定，新增的23个品类产品除了面向友好国家等42个国家和地区之外，向其他地区的出口都需要获得个别许可。据了解，这意味着今后日本企业在涉及该领域产品对华出口时，必须获得经日本经济产业大臣审批的单独许可证后方可对华实施出口；而单独许可证所需申请文件类型及手续将极为繁杂，其中包括需要追加提交证明用户业务资质、出口产品用途、用户承诺文件等诸多附件资料。 管制于去年7月23正式生效。对此，中国商务部发言人曾表示，希望日方遵守国际经贸规则，避免对两国经贸合作进行政治干扰、限制企业正常自主经营和企业间公平竞争。 查看详细>>